В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.
Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается).
Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"
Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.
Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".
Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru
МПК » C » C30 » C30B » C30B029/00 |
|
Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой [3,5]
|
Публикация |
Название |
1503346 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ | 2156325 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КАЛЬЦИЙФОСФАТОВ | 2378421 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2405867 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ III ГРУППЫ | 2320787 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА | 2460830 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА | 2186885 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА | 2198250 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ЦИНКИТА | 2262556 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНЫХ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ | 2418110 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛАТЕРАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫХ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА | 2367730 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ СОСТАВА, БЛИЗКОГО К СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОМУ, И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2434976 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МЕТОДОМ ОТФ Cd1 - XZnXTe, ГДЕ 0x1, ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм | 2083732 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА | 94014551 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МИКРООДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА | 2139957 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β - BaB2O4 | 2468128 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА AlN И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2119976 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ - ЛИТИЙ БОРАТА CSLIB6O10 | 2197570 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА | 2241078 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2472875 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА | 2326993 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА НИТРИДА НА КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЕ, НИТРИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ, И СПОСОБ ТАКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2417277 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА НА ЗАТРАВОЧНОМ КРИСТАЛЛЕ, ОСТАЮЩЕМСЯ В РАСПЛАВЕ В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ | 2423559 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА НА ЗАТРАВОЧНОМ КРИСТАЛЛЕ, ОСТАЮЩЕМСЯ В РАСПЛАВЕ, В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ | 2341594 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ | 2042746 | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК |
|