|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА НИТРИДА НА КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЕ, НИТРИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ, И СПОСОБ ТАКОГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2326993 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/00 C30B029/38 H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | US 2002149023 A1, 17.10.2002. US 2002163010 A1, 07.11.2002. JP 2003046122 А, 14.02.2003. US 6524923 B1, 25.02.2003. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR),Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН (RU) | | Изобретатели: | ПАРК Хее Сеок (KR)
Жиляев Юрий Васильевич (RU)
Бессолов Василий Николаевич (RU) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО.
ЛТД. (KR)
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. Согласно одному из аспектов изобретения при выращивании монокристалла нитрида сначала подготавливают кремниевую подложку, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), на ней формируют первый нитридный буферный слой, на котором формируют аморфную оксидную пленку, затем формируют второй нитридный буферный слой на аморфной оксидной пленке и монокрист
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента