Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени. ICQ *:462-999-592

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 100 руб. Минимальная цена заказа — 120 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Соколова Ирина - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm@sibindustry.ru


 МПК » C » C30 » C30B
Поиск в МПК:   
Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей [3]

Всего позиций: 18        [1-18] 
Код и наименование раздела справочника МПК Патенты
C30B001/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части 3/00; под защитной жидкостью 27/00)[3][6] 
C30B007/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; под защитной жидкостью 27/00)[3][95] 
C30B009/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; зонной плавкой 13/00; вытягиванием кристаллов 15/00; на погруженном затравочном кристалле 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев 19/00; под защитной жидкостью 27/00)[3][30] 
C30B011/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (13/00, 15/00,17/00,19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью 27/00)[3][96] 
C30B013/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела 15/00; под защитной жидкостью 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)[3,5][47] 
C30B015/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00)[3][198] 
C30B017/00 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (15/00 имеет преимущество)[3][13] 
C30B019/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3][20] 
C30B021/00 Однонаправленное отвердевание эвтектик [3][1] 
C30B023/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3][43] 
C30B025/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3][64] 
C30B027/00 Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3][1] 
C30B028/00 Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5][23] 
C30B029/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой [3,5][534] 
C30B030/00 Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5][25] 
C30B031/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5][31] 
C30B033/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (31/00 имеет преимущество)[3,5][101] 
C30B035/00 Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5][9] 
Всего позиций: 18        [1-18] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
E-mail: adm@sibindustry.ru
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"