Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L021/00
Поиск в МПК:   
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2,8]
Всего позиций: 1373        «пред [601-650] [651-700] [701-750] [751-800] [801-850] [851-900] след»
Публикация Название
2110870СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРА ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
2345442СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПОЛИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ
2437180СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПРОВОЛОК, МАТРИЦА НАНОПРОВОЛОК ИЗ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ТАБЛИЦЫ (ВАРИАНТЫ) И ПОДЛОЖКА (ВАРИАНТЫ)
2435730СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПРОВОЛОЧНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
2359359СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСЕНСОРА
2426194СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
2065226СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНОГО КОНТАКТА К КРЕМНИЮ
2371806СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИТРИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И НИТРИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА Р - ТИПА
1829776СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБКЛАДКИ КОНДЕНСАТОРА ИЗ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
1829792СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБКЛАДКИ НАКОПИТЕЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРА ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
2168241СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЛАСТЕЙ ИСТОКА МАТРИЦЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ ЯЧЕЕК БЫСТРОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОГО ПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
2186359СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО - МИКРОСКОПИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
1823709СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
2084988СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ А3В5
2024989СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ РЕЗИСТОРАМ НА ОСНОВЕ МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ
2315389СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN
2315390СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN
2458430СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs
2422941СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu
2151457СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II - VI ГРУПП
2291519СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ
2349985СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО р - n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ ВЫСОКООМНОГО КРЕМНИЯ р - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
2239912СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО СИЛОВОГО МОП ТРАНЗИСТОРА
2045107СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ p
2026589СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ p - n - ПЕРЕХОДОВ НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ
Всего позиций: 1373        «пред [601-650] [651-700] [701-750] [751-800] [801-850] [851-900] след»
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"