Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L021/00
Поиск в МПК:   
Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2,8]

Всего позиций: 111        [1-50] [51-100] [101-111] 
Код и наименование раздела справочника МПК Патенты
H01L021/02 .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей [2,8][26] 
H01L021/027 ..образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам 21/18 или 21/34[5][6] 
H01L021/033 ...с неорганическими слоями [5][1] 
H01L021/04 ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2][2] 
H01L021/08 ....подготовка пластины основания [2][1] 
H01L021/10 ....предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2][1] 
H01L021/16 ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2][1] 
H01L021/18 ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками [2,6,7][11] 
H01L021/20 ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2][25] 
H01L021/203 .....физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2][16] 
H01L021/205 .....разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2][45] 
H01L021/208 .....жидкостным напылением [2][9] 
H01L021/22 ....диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси[12] 
H01L021/223 .....диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2][2] 
H01L021/225 .....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2][10] 
H01L021/24 ....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2][1] 
H01L021/26 ....воздействие волновым излучением или излучением частиц [2][19] 
H01L021/261 .....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6][1] 
H01L021/263 .....с высокой энергией (21/261 имеет преимущество)[2,6][32] 
H01L021/265 ......с внедрением ионов [2][36] 
H01L021/268 ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2][21] 
H01L021/28 ....изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20-21/268[2][40] 
H01L021/283 .....осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2][11] 
H01L021/285 ......из газа или пара, например способом конденсации [2][4] 
Всего позиций: 111        [1-50] [51-100] [101-111] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"