Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени. ICQ *:462-999-592

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 100 руб. Минимальная цена заказа — 120 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Соколова Ирина - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm@sibindustry.ru


 МПК » C » C30 » C30B » C30B015/00
Поиск в МПК:   
Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00)[3]

Всего позиций: 16        [1-16] 
Код и наименование раздела справочника МПК Патенты
C30B015/02 .добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3][24] 
C30B015/04 ..с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов [3][21] 
C30B015/08 .вытягивание вниз [3][1] 
C30B015/10 .тигли или контейнеры для поддерживания расплава [3][19] 
C30B015/12 ..методы двойного тигля [3][6] 
C30B015/14 .нагревание расплава или кристаллизуемого материала [3][25] 
C30B015/18 ..с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье [3][1] 
C30B015/20 .управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05)[3][27] 
C30B015/22 ..стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла [3][5] 
C30B015/24 ...с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений (формоизменяющие матрицы для выращивания из пленки кристаллов с определенными гранями 15/34)[3][2] 
C30B015/26 ...с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов [3][7] 
C30B015/28 ...с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами [3][2] 
C30B015/30 .механизмы для вращения или передвижения расплава или кристалла (флотационные способы 15/28)[3][9] 
C30B015/32 .держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны [3][5] 
C30B015/34 .выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей [3][35] 
C30B015/36 .отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3][6] 
Всего позиций: 16        [1-16] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"