Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ III ГРУППЫ

Номер публикации патента: 2405867

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009108230/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/00   C30B025/14   C30B029/38    
Аналоги изобретения: RU 2315825 C1, 27.01.2008. RU 2132890 C1, 10.07.1999. JP 10012555 A, 16.01.1998. EP 1782457 A2, 09.05.2007. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU) 
Изобретатели: Макаров Юрий Николаевич (RU)
Сегаль Александр Соломонович (RU)
Смирнов Сергей Александрович (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой фазы включает размещение подложки 12 в верхней части реактора над источником металла III группы 5 и подачу к поверхности подложки 12 в направлении, противоположном направлению силы тяжести газовых потоков, каждый из которых содержит, по крайней мере, один химически активный газ и, по крайней мере, один несущий газ. Для повышения рентабельности процесса устанавливают расходы химически активных газов, удовлетворяющие условию: GV/GIII=5÷1000, где GV - мольный расход химически активных газов, включающих элемент V группы - азот, например аммиак, GIII - мольный расход химически активных газов, содержащих металл III группы, смешивают каждый химически активный газ с, по крайней мере, одним несущим газом до получения газовых потоков, в которых общая плотность газовой смеси, содержащей химически активный газ, включающий металл III группы, меньше общей плотности газовой смеси, содержащей химически активный газ, включающий элемент V группы - азот. Такое соотношении плотностей газовых смесей позволяет улучшить структуры газовых потоков в реакторе и устранить вихревое рециркуляционное течение под подложкой. Затем подают полученные газовые потоки в направлении подложки 12 по кольцевым каналам 8, 9, 10, сформированным симметрично относительно оси реактора. Изобретение позволяет улучшить качество кристаллов и управляемость процесса за счет совершенствования структуры газовых потоков в реакторе. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"