На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА | |
Номер публикации патента: 2320787 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/16 | Аналоги изобретения: | RU 2198250 C1, 10.02.2003. US 3201209 A, 18.08.1965. ЛУКИНА М.М. и др. Кинетика кристаллизации цинкита в гидротермальных условиях. В сб. «Рост кристаллов», т.9. - М.: Наука, 1972, с.48-51. CROXALL D.F. et al. Hydrothermal growth and investigation of Li-doped zinc oxide crystal of high purity and perfection. J. Cryst. Growth. Vol.22, N2, 1974, p.117-124. |
Имя заявителя: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | Изобретатели: | Лютин Владимир Иванович (RU) Кортунова Евгения Васильевна (RU) Шапиро Аркадий Яковлевич (RU) | Патентообладатели: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Способ выращивания кристаллов оксида цинка в гидротермальных условиях заключается в перекристаллизации шихты из раствора едкого калия с добавлением ионов Li+ в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материла на ориетированные параллельно моноэдрическим граням (0001) зат
|