Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » C » C30 » C30B » C30B025/00
Поиск в МПК:   
Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
Всего позиций: 84        [1-50] [51-84] 
Публикация Название
2394117CVD - РЕАКТОР И СПОСОБ СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ
2315826АЛМАЗ, ЛЕГИРОВАННЫЙ БОРОМ
2332531АЛМАЗНЫЙ МАТЕРИАЛ ОПТИЧЕСКОГО КАЧЕСТВА
2473720БЕСЦВЕТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2398922БЕСЦВЕТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ВЫСОКОЙ СКОРОСТИ РОСТА
2272090БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III - V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ
2315135МЕТОД ВЫРАЩИВАНИЯ НЕПОЛЯРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ
2154698МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2160327МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2288302МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2287028МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗНЫЙ СЛОЙ БОЛЬШОЙ ТОЛЩИНЫ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ДРАГОЦЕННЫЕ КАМНИ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫЕ ИЗ ЭТОГО СЛОЯ
2314368ОКРАШЕННЫЙ АЛМАЗ
2167224ПИРОЛИТИЧЕСКИЙ РОМБОЭДРИЧЕСКИЙ НИТРИД БОРА И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2332532ПЛАСТИНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ
2209861ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
2209260ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
2267565ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
2369669ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
2312176ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЭПИТАКСИИ (ВАРИАНТЫ)
2389834РЕАКТОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ (CVD - РЕАКТОР) С ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ КАМЕРОЙ, НАГРЕВАЕМОЙ С ПОМОЩЬЮ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (RF - ИЗЛУЧЕНИЯ)
2470098РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
2222648РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ШИРОКИХ ПЛАСТИН ИСХОДНОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
2448205РЕАКТОР С ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЕМ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ
2439215РЕЗЕРВУАР ИСТОЧНИКА ДЛЯ VPE - РЕАКТОРА
2389833СВЕРХПРОЧНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ CVD - АЛМАЗА И ИХ ТРЕХМЕРНЫЙ РОСТ
Всего позиций: 84        [1-50] [51-84] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"