На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ СУХОЙ ЛИТОГРАФИИ

Номер публикации патента: 95107921

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95107921

Реферат

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок. Способ включает в себя нанесение слоя резиста на подложку, формирование в нем скрытого изображения путем локального экспонирования УФ или высокоэнергетичным излучением и предсилиляционной обработки, в результате которых происходят химическое разложение и/или соединение молекул чувствительного слоя, силилирование резиста и плазменное проявление маски и отличается тем, что нанесение слоя резиста на подложку осуществляют сухим методом плазменной полимеризации в две стадии: сначала формируют основной слой резиста непосредственно в плазме, а потом чувствительный слой - в зоне послесвечения плазмы. Фоточувствительный слой формируют путем соосаждения его полимерной основы и диазохинона, который перед осаждением на подложку предварительно испаряют термическим нагреванием в вакуумной камере, а затем в потоке газа-носителя транспортируют к подложке. Это обеспечивает возможность сухого нанесения резиста на подложку без разрушения чувствительного слоя под действием плазмы. В сочетании с последующим газофазным силилированием резиста и плазменным проявлением маски это делает фотолитографический цикл полностью сухим, что позволяет аппаратурно оформить такой процесс в виде систем типа CLUSTER TOOLS , уменьшить жесткость требований и стоимость затрат по поддержанию необходимого технологического климата в производственных помещениях предприятий микроэлектронной промышленности, снизить дефектность и себестоимость изделий, повысить выход годных и их надежность.

Вернуться к списку