Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 95107207

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95107207 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/04   C30B029/06    

Имя заявителя: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" 
Изобретатели: Сальник З.А.
Микляев Ю.А 

Реферат


Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины No в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром (300±30) мм при отношении площади поверхности контакта расплава с тиглем к площади открытой поверхности контакта расплава 1,5 - 4,0 расстояние (h) от начального уровня расплава в тигле до верхнего края нагревателя поддерживают равным 2 - 9 см, а увеличение (уменьшение) концентрации кислорода в верхней части растущего монокристалла на каждые (0,4±0,2)·1017 см-3 проводят путем повышения (понижения) уровня расплава на 1 см в пределах указанного интервала h. Предложенное решение позволяет выращивать монокристаллы кремния для широкого класса полупроводниковых приборов с различными требованиями к концентрации кислорода.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"