Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Номер публикации патента: 95105202

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95105202 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K019/20   H01L029/66    

Имя заявителя: Таганрогский государственный радиотехнический университет 
Изобретатели: Коноплев Б.Г.
Рындин Е.А 

Реферат


Изобретение относится к вычислительной технике и интегральной электронике, а более конкретно - к интегральным логическим элементам БИС. Для сокращения занимаемой площади, повышения быстродействия, помехоустойчивости и степени автоматизации проектирования в интегральный логический элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней сток-истоковыми областями транзисторов второго типа проводимости, полупроводниковую область второго типа проводимости, расположенную над слоем разделительного диэлектрика и содержащую сток-потоковые области транзисторов первого типа проводимости, слои тонкого диэлектрика, металлическую шину питания, соединенную с истоковыми областями транзисторов первого типа проводимости, металлическую шину нулевого потенциала, расположенную над истоковой областью транзистора второго типа проводимости и соединенную с ней, а также с полупроводниковой подложкой первого типа проводимости, введены поликремниевые затворы транзисторов первого и второго типов проводимости, расположенные параллельно шинам питания и нулевого потенциала и выполненные в виде буквы Г, две входные зоны, содержащие участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типов проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, две входные металлические шины, расположенные над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенные с поликремниевыми затворами транзисторов первого и второго типов проводимости, выходная зона, содержащая участки поликремниевых затворов и сток-истоковых областей транзисторов первого и второго типов проводимости, участки металлических шин питания и нулевого потенциала, выходную металлическую шину, расположенную над областями элемента перпендикулярно шинам питания и нулевого потенциала и соединенную со стоковыми областями транзисторов первого типа проводимости и стоковой областью транзистора второго типа проводимости, зона транзита, содержащая транзитную металлическую шину, причем входные, выходная и транзитная зоны имеют одинаковые размеры.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"