|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ |  |
Номер публикации патента: 940601 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | SU | | Рег. номер заявки: | 3251240 |
|
|
|
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | 1. Lile D., Collins D. Jhin Solid Films, 1979, V56, N1/2, р. 225 - 234 The dielectric and intufacial characteristics of mis structures on YuP an Ga As 2. Koyama, Kitomo, Surface Sciense. 1979, V86 (П) р. 835 - 840. Ga As MoS structures with Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB> grown wy molecular weam reaction |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Ильичев Э.А.
Слепнев Ю.В.
Полторацкий Э.А.
Родионов А.В.
Емельянов А.В.
Инкин |
Реферат | |
1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 - 10-5) соответственно и температуре подложек 600 - 650oС. 2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем, что после формирования диэлектрических слоев на их поверхности методом осаждения из газовой фазы формируют пассивирующие слои полупроводникового твердого раствора из ряда Ga1-yAlxAs:O или диэлектрика.
|
Поиск патентов