|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ INP |  |
Номер публикации патента: 94040462 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94040462 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Молдавский государственный университет (MD) | | Изобретатели: | Ботнарюк В.М.
Дякону И.И.
Горчак Л.В.
Раевский С.Д.
Плешка | | Номер конвенционной заявки: | 940147 | | Страна приоритета: | MD |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения чистых слоев InР с высокими воспроизводимыми электрофизическими параметрами. Для снижения уровня неконтролируемого легирования и сокращения времени выхода в режим роста слоев с воспроизводимыми электрофизическими параметрами в способе получения слоев lnP путем эпитаксиального наращивания в системе In-PCl3-H2 предварительно проводят термический отжиг индия в вакууме. Технический результат предлагаемого изобретения выражается в снижении уровня неконтролируемого легирования и сокращении времени выхода в режим роста слоев с воспроизводимыми электрофизическими параметрами.
|
Поиск патентов