|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СЛОИСТЫЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 94039535 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94039535 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Уилкоксон Бентон Х. (US) | | Изобретатели: | Трефилов В.И.[UA]
Товстюк К.Д.[UA]
Ковалюк З.Д.[UA]
Григорчак И.И.[UA]
Козмик И.Д.[UA]
Бахматюк Б.П.[UA] | | Номер конвенционной заявки: | 07/784525 | | Страна приоритета: | US | | Патентный поверенный: | Зенин И.А. |
Реферат | |
Изобретение относится к свободным от дефектов монокристаллическим материалам, способным включать высокие уровни примесей, и к способам их получения. Слоистый монокристаллический материал имеет достаточно низкую плотность дефектов и соответствующее распределение примесей, позволяющие интеркалирование минимум 3 молей лития в каналы Ван-дер-Ваальса на один моль кристаллического материала без значительного искажения кристаллической решетки, и характеризуется тем, что изменение свободной энергии Гиббса не зависит от концентрации включения лития. Этот материал получают путем последовательного осуществления следующих действий: ампулу заполняют стехиометрическими количествами элемента халькогенида и висмута, создают в ней атмосферу, препятствующую окислению, и герметизируют. Затем ампулу нагревают до температуры на 5-10° выше температуры плавления халькогенида висмута и охлаждают до комнатной температуры. Полученный поликристаллический халькогенид висмута контактирует с затравочным кристаллом со специфической структурой кристаллической решетки. Полученный в результате контактирования в высшей степени бездефектный монокристалл халькогенида висмута охлаждают до комнатной температуры. В полученный кристаллический материал можно ввести примеси для получения высокоинтеркалированного кристаллического материала. Полученный кристаллический материал используют в качестве активного элемента батареи, термоэлектрического устройства и конденсатора.
|
Поиск патентов