Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 94029954

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94029954 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01K007/16    

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт физических измерений 
Изобретатели: Козин С.А. 

Реферат


Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении полупроводниковых высокочувствительных датчиков температуры. Датчик температуры содержит четыре, замкнутых в мостовую схему, резистора, два из которых выполнены в теле кристалла из легированного бором монокристаллического кремния, а два других выполнены из легированного бором поликристаллического кремния, расположенного на поверхности кристалла, причем пары резисторов имеют противоположные знаки температурных коэффициентов сопротивлений, а их абсолютные значения температурного коэффициента сопротивления одинаковы и находятся в диапазоне (0,3-1,0)·10-2 град-1. Способ изготовления датчика температуры предусматривает для формирования первой группы резисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления проведение в окна SiO2 на пластине "n" типа проводимости ионного легирования бором с дозой 2-6 мккл/см2, для формирования второй группы резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления той же абсолютной величины, что и первая группа резисторов, - нанесение пленки поликристаллического кремния, ее легирование с дозой 20-50 мккл/см2 и вытравливаниe в слое поликремния конфигурации терморезисторoв второй группы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"