На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ КРИСТАЛЛОВ СОСТАВА Y1 BA2 CU3 O7 - X

Номер публикации патента: 94022105

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94022105

Реферат

Изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) кристаллов и может найти применение в процессе изготовления комплектующих изделий электрических машин (электромагнитов, двигателей), элементов магнитного подвеса, токовых соединений, экранов магнитного поля и др. Изобретение позволяет повысить плотность критического тока j_с в сверхпроводящих мозаичных монокристаллических образцах за счет того, что в предлагаемом способе изготовления ВТСП кристаллов состава Y-Вa-Сu-О, включающем плавление заготовки в горячей зоне двухзонной вертикальной печи и последующее перемещение заготовки из горячей зоны в холодную, температуры в горячей зоне понижают до величины, превышающей температуры перитектики на 5 - 20°С, и при этой температуре выдерживают заготовки в течение 1,5 - 5 ч. После чего устанавливают величины градиента температуры в области перехода из горячей зоны в холодную в пределах 20 - 40°С/см и при перемещении заготовки через эту область со скоростью 0,1 - 5 мм/ч последовательно повышают и понижают температуру в ней с амплитудой 2 - 10°С относительно температуры перитектики.

Вернуться к списку