Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 94022002

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94022002 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34    

Имя заявителя: Институт физики твердого тела РАН 
Изобретатели: Курлов В.Н. 

Реферат


Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема и вытягивают из столба расплава на торце формообразователя, погруженного в тигель, и ростовой камере. При этом формообразователь снабжен разгерметизирующим некапиллярным отверстием, которое на стадии роста монолитного кристалла находится ниже уровня расплава. При переходе к полому профилю трубчатую полость формообразователя сообщают через указанное отверстие с ростовой камерой путем опускания уровня расплава в тигле ниже разгерметизирующего отверстия, а при переходе от полого профиля к монолитному прекращают сообщение между полостью формообразователя и ростовой камерой путем поднятия уровня расплава до полного погружения разгерметизирующего отверстия в расплав.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"