|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 94022002 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94022002 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Институт физики твердого тела РАН | | Изобретатели: | Курлов В.Н. |
Реферат | |
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема и вытягивают из столба расплава на торце формообразователя, погруженного в тигель, и ростовой камере. При этом формообразователь снабжен разгерметизирующим некапиллярным отверстием, которое на стадии роста монолитного кристалла находится ниже уровня расплава. При переходе к полому профилю трубчатую полость формообразователя сообщают через указанное отверстие с ростовой камерой путем опускания уровня расплава в тигле ниже разгерметизирующего отверстия, а при переходе от полого профиля к монолитному прекращают сообщение между полостью формообразователя и ростовой камерой путем поднятия уровня расплава до полного погружения разгерметизирующего отверстия в расплав.
|
Поиск патентов