|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ АЛЕКСАНДРИТА |  |
Номер публикации патента: 94018432 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94018432 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Институт минералогии и петрографии СО РАН | | Изобретатели: | Храненко Г.Г.
Вейс Н.С |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания крупных кристаллов александрита методом обратного температурного перепада из расплава, содержащего исходный материал из окисей бериллия и алюминия с хромофорными добавками или некондиционного александрита и флюса-растворителя. Для осуществления предлагаемого варианта способа роста кристаллов в качестве флюса используют составы с высокой плотностью. Компоненты шихты плавают на поверхности расплава и под действием температурного перепада переносятся на дно сосуда. Для контроля за числом образующихся зародышей рост кристаллов осуществляют на специальную платиновую подложку, имеющую определенное число насечек или отверстий. При постоянном пересыщении, создаваемом величиной температурного градиента, снабжение зародившихся кристаллов питательным материалом происходит равномерно, обеспечивая качественный рост крупных кристаллов.
|
Поиск патентов