На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Вернуться к списку

СПОСОБ ОБРАБОТКИ РАСПЛАВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА ПУТЕМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА

Номер публикации патента: 94017312

Вид документа:  A1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  94017312

Реферат

Способ обработки расплава полупроводникового материала путем выращивания кристалла. Цель - получение несложным путем из расплава независимо от содержания неконтролируемых примесей полезной и малоотходной продукции. Сущность: опускают в условиях инертной среды затравку в переохлажденный расплав (5), находящийся в тигле (2) печного агрегата (1), сообщают тиглю с расплавом и затравке посредством приводов (7) и (6) равномерное разнонаправленное вращение, с началом образования многогранника вдавливают его на 1-3 мм в расплав путем подъема тигля вверх, выдерживают вращающиеся тигель и затравку в неподвижном относительно горизонта положении, по мере роста кристалла в горизонтальном направлении указанные операции его вдавливания и последующей выдержки тигля и затравки многократно повторяют и при завершении формирования кристалла при вращающихся тигле и затравке вытягивают его с последующим отрывом из расплава путем опускания тигля из- под затравки вниз, а извлечение кристалла из агрегата вначале производят до уровня верхней части его рабочей камеры, прекращают подачу аргона и откачку воздуха, делают временную выдержку до появления на поверхности кристалла цветовой гаммы, а затем извлекают его полностью. Полезный эффект: несложное и малоотходное получение из некондиционного расплава кристалла с цветовой гаммой, вогнутой вовнутрь формы, имеющего широкий спрос в виде декоративной продукции. 1 ил.

Вернуться к списку