|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА КАЧЕСТВА ПОТОКА СЫПУЧЕГО МАТЕРИАЛА НА ЛЕНТЕ КОНВЕЙЕРА |  |
Номер публикации патента: 750823 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | B03B013/06 | | Аналоги изобретения: | Силяр П.Т. и др. Совершенствование методов и средств контроля качества углей. Сб. "Обогащение углей в СССР", М., "Недра", 1973, с. 177-182. Дмитриев В.Г. и др. Автоматический радиоизотопный гаммаанализатор железа в потоке ПАЖ-1, Сб. "Изотопы в СССР", 1973, N 32, с. 26-29. |
| Имя заявителя: | Комплексный научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт обогащения твердых горючих ископаемых Министерства угольной промышленности СССР | | Изобретатели: | Старчик Л.П.
Грабов П.И.
Локшин А.Г.
Онищенко А.М.
Полковников |
Реферат | |
Устройство для анализа качества потока сыпучего материала на ленте конвейера, содержащее установленные на плите два источника мягкого гамма-излучения с контейнерами-коллиматорами и детектор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности анализа, расстояния между детектором и обоими источниками гамма-излучения выражаются соотношением B1 = (2 - 4)B2, а расстояния от источников гамма-излучения и детектора до нижней плоскости плата и углы наклона детектора и коллиматоров источников гамма-излучения связаны соответственно соотношениями
hд/h1 = (0,9 - 1,6)h1/h2;
α1/α2= (1,4-1,9)
где B1 и B2 - соответственно базовые расстояния первого и второго источников гамма-излучения от детектора;
hд, h1 и h2 - соответственно расстояния от детектора, первого и второго источников гамма-излучения до слоя сыпучего материала;
αд, α1 и α2 - соответственно углы между коллиматорами первого и второго источников гамма-излучения и детектора и нормалью к поверхности слоя сыпучего материала. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что плата в передней части имеет поперечный выступ , высоту Н которого выбирают в пределах hд>H>5мм.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента