US 20090190195 A1, 30.07.2009. US 20090195778 A1, 06.08.2009. US 20040184490 A1, 23.09.2004. US 20030133486 A1, 17.07.2003. RU 2107938 C1, 27.03.1998.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Нанооптик Девайсез" (RU)
Изобретатели:
Гольцов Александр Юрьевич (RU) Ивонин Игорь Аркадьевич (RU) Светиков Владимир Васильевич (RU) Яньков Владимир Васильевич (US)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Нанооптик Девайсез" (RU)
Реферат
Способ изготовления лазерного диода с повышенной яркостью излучения состоит в том, что формируют широко-эмиттерную лазерную среду, способную генерировать многомодовое оптическое излучение, которая имеет активный волноводный излучающий слой, первый конец и второй конец. Формируют частично прозрачное зеркало на втором конце широко-эмиттерной лазерной среды, размещают широко-эмиттерную лазерную среду с частично прозрачным зеркалом на подложке с высокой теплопроводностью. При этом формируют устройство перестройки модовой структуры, основанное на цифровой планарной голограмме, имеющее входной торец, причем указанное устройство образуют путем формирования цифровой планарной голограммы у первого конца широко-эмиттерной лазерной среды в оптическом взаимодействии с ней, используют цифровую планарную голограмму в качестве непрозрачного зеркала, размещая ее на той же подложке, на которой размещена лазерная среда, в результате чего формируется оптический резонатор, и осуществляют селекцию, перестройку и усиление мод оптического излучения лазерного диода по заданной функции. Технический результат заключается в обеспечении улучшения оптических характеристик лазерного диода без уменьшения оптической мощности. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента