Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Номер публикации патента: 2477766

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011140545/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B009/12   C30B019/02   C30B029/38    
Аналоги изобретения: US 2006051942 A1, 09.03.2006. US 2010059717 A1, 11.03.2010. US 2010078606 A1, 01.04.2010. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационное научно-производственное предприятие "Кристалл" (RU) 
Изобретатели: Гилёв Олег Аркадьевич (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационное научно-производственное предприятие "Кристалл" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. Способ включает нагрев и выдержку при заданной температуре либо нагрев и медленное охлаждение от заданной температуры в контейнере при поддержании градиента температуры между верхней и нижней частями контейнера под давлением азотсодержащего газа шихты, содержащей источник галлия и компоненты флюса. Флюс в качестве основных компонентов содержит цианиды, или цианамиды, или дицианамиды щелочных и/или щелочноземельных металлов и модифицирующие добавки, повышающие растворимость нитрида галлия и/или увеличивающие скорость роста и/или позволяющие управлять физическими свойствами получаемых кристаллов. За счет состава флюса, химического инертного по отношению к материалу контейнера, снижается скорость коррозии последнего, при этом также повышается качество получаемых монокристаллов. 15 з.п. ф-лы, 2 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"