(56)Фещенко И.А. и др. Получение высокочистого ацетата цинка (кристаллогидрата и безводного продукта)». Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. // Тезисы докладов XII Конференции. - Нижний Новгород: 31 мая - 3 июня 2004. RU 2277530 С1, 10.06.2006. Карякин и Ю.В. др. Чистые химические вещества. - М.: Химия, 1974, с.403.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU), Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (ННГУ) (RU)
Изобретатели:
Чурбанов Михаил Федорович (RU) Фещенко Илларион Аврамович (RU) Циновой Юрий Наумович (RU) Тайнов Анатолий Витальевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (ИХВВ РАН) (RU) Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (ННГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения солей карбоновых кислот, в частности уксусной, и касается разработки способа получения высокочистого безводного ацетата цинка. Высокочистый ацетат цинка получают взаимодействием цинксодержащего соединения с уксусной кислотой, где в качестве цинксодержащего соединения используют диэтилцинк, предварительно разбавленный инертным растворителем до концентрации не более 20% масс. В качестве инертного растворителя предпочтительно используют ундекан. Изобретение позволяет получить высокочистый безводный ацетат цинка, в котором содержание 18-ти лимитируемых примесей металлов, по данным химико-спектрального анализа, составляет 5·10-5-5·10-6 % масс. Это позволяет отнести полученный безводный ацетат цинка к категории особо чистых веществ квалификации ОСЧ 18-4. Он находит применение в электронике, волоконной оптике, атомной энергетике и других отраслях новой техники. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента