YU. PAL'YANOV et al. Crystal growth and characterization of HPHT diamond from phosphorus-carbon system, Diamond and Related Materials, 2003, v. 12, pp.1510-1516. RU 2148490 C1, 10.05.2000. US 7572332 В2, 11.08.2009. ЕР 1947220 A1, 23.07.2008. KUMARAGURUBARAN S. et al. Annealing effects in H- and O-terminated P-doped diamond (111) surfaces, Diamond and Related Materials, 2008, v. 17, Issue 4-5, pp.472-475.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева отделения РАН (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Пальянов Юрий Николаевич (RU) Куприянов Игорь Николаевич (RU) Сокол Александр Григорьевич (RU) Хохряков Александр Федорович (RU) Борздов Юрий Михайлович (RU) Калинин Александр Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева отделения РАН (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технике при получении материалов с n-типом проводимости. Реакционную систему из графита и фосфора отжигают в токе водорода при 200-280°С. Затем осуществляют синтез алмаза в области температур 1450-1650°С и давлений 6,3-7,5 ГПа, ограниченной при 6,3 ГПа интервалом 1550-1650°С, а при 7,5 ГПа - интервалом 1450-1550°С при длительности не менее 40 часов. По второму варианту выращивают алмаз на грани {111} и {100} затравки в области температур 1400-1600°С и давлений 6,3-7,5 ГПа, ограниченной при 6,3 ГПа интервалом 1500-1600°С, а при 7,5 ГПа - интервалом 1400-1500°С при длительности не менее 40-60 часов. Изобретение обеспечивает эффективное контролируемое легирование алмаза донорной примесью фосфора, повышение качества кристаллов алмаза, снижение температуры и давления. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 6 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента