КОРНЕЕВА Ю.П. и др. Технология изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов для ИК диапазона, Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции молодых ученых, Микро-нанотехнологии и их применение, Черноголовка, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 2010, 22-24 ноября, с.61. US 7791065 B2, 07.09.2010. RU 2327253 C2, 20.06.2008. US 4726890 A1, 23.02.1988. JP 5346600 A, 27.12.1993.
Гурович Борис Аронович (RU) Кулешова Евгения Анатольевна (RU) Приходько Кирилл Евгеньевич (RU) Тархов Михаил Александрович (RU) Мельников Андрей Петрович (RU) Гольцман Григорий Наумович (RU)
Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных методов толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его последующее облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода. В качестве ускоренных частиц используют атомы водорода или протоны, ионы или атомы гелия, ионы или атомы кислорода или смеси перечисленных частиц с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ. В качестве подложки используют лейкосапфир. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности детектирования. 4 з.п ф-лы, 1 ил., 4 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента