RU 2396655 С1, 10.08.2010. WO 99/14809 А1, 25.03.1999. US 6697412 В2, 24.02.2004. GB 2358959 А, 08.08.2001. TW 494577 В, 11.07.2002.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) (RU)
Изобретатели:
Галиев Галиб Бариевич (RU) Васильевский Иван Сергеевич (RU) Климов Евгений Александрович (RU) Пушкарёв Сергей Сергеевич (RU) Рубан Олег Альбертович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности дислокаций, проникающих в активную область наногетероструктуры. Сущность изобретения: в полупроводниковой метаморфной наногетероструктуре InAlAs/InGaAs, включающей монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, сверхрешетку AlGaAs/GaAs, буферный слой GaAs, метаморфный буфер InxAl1-xAs толщиной 1.0÷1.5 мкм с линейным увеличением содержания InAs х по толщине от x 1 до х4, где x1~0, х40.75, инверсный слой InxAl1-xAs с плавным уменьшением содержания InAs х по толщине от х4 до х4', где х4-х4'=0.03÷0.08, залечивающий слой с однородным составом Inx4'Al 1-x4'As, активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs (более 70%), согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, внутрь метаморфного буфера на равных расстояниях друг от друга и от границ буфера вводятся два инверсных слоя с плавным уменьшением содержания InAs х по толщине на х=0.03÷0.06, за каждым из которых следует залечивающий слой с составом, совпадающим с финальным составом инверсного слоя. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента