Isao Yoshida. 2-GHz Si power MOSFET technology//International Electron Devices Meeting. - 1997, Washington, Technical Digest. 7 10 Dec. 1997. RU 2338297 C1, 10.11.2008. RU 2364984 C1, 20.08.2009. US 2005/0280085 A1, 22.12.2005. US 7307314 B2, 11.12.2007. US 6825531 B1, 30.11.2004. WO 98/11609 A1, 19.03.1998.
Имя заявителя:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДРИЯТИЕ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ПУЛЬСАР" (RU)
Изобретатели:
Бачурин Виктор Васильевич (RU) Бельков Александр Константинович (RU) Бычков Сергей Сергеевич (RU) Пекарчук Татьяна Николаевна (RU) Романовский Станислав Михайлович (RU)
Патентообладатели:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДРИЯТИЕ "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ПУЛЬСАР" (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p+-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высокоомном p--слое подложки, подзатворный диэлектрик и электроды затвора транзисторных ячеек на основе поликремния в виде узких продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок над p-карманами элементарных ячеек, металлические электроды стока, истока и шины, шунтирующие затворные зубцы транзисторных ячеек через примыкающие к ним ответвленные контактные площадки на лицевой стороне подложки и общий металлический электрод истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, под подзатворным диэлектриком ответвленных контактных площадок электродов затвора транзисторных ячеек размещены более высоколегированные по сравнению с p-карманами дополнительные n+-области, а ответвленные контактные площадки выполнены в виде двух смежных прямоугольных площадок, одна из которых непосредственно примыкает к затворным зубцам с длиной сторон, составляющих 0,81,0 от ширины затворных зубцов элементарных ячеек, а через вторую контактную площадку с длиной сторон большего размера затворные зубцы шунтируют металлическими шинами. Техническим результатом изобретения является создание транзистора с улучшенными частотными и энергетическими параметрами, с повышенной рентабельностью промышленного производства. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента