RU 2038646 C1, 27.06.1995. RU 2132890 C1, 10.07.1999. RU 2407103 C1, 20.12.2010. US 5028561 A, 02.07.1991. US 6139629 A, 31.10.2000. US 2000/0053268 A1, 26.02.2009. EP 0475606 A2, 18.03.1992.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Изобретатели:
Шенгуров Владимир Геннадьевич (RU) Чалков Вадим Юрьевич (RU) Денисов Сергей Александрович (RU) Шенгуров Дмитрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение качества полупроводниковых структур и расширение функциональных возможностей способа и установки за счет реализации возможности и получения многослойных структур с широким диапазоном концентраций легирующих примесей при относительно низких температурах роста. Способ и устройство основаны на резистивном испарении напыляемых материалов и реализуют формирование легированного слоя полупроводниковой структуры путем одновременного испарения основного нелегированного материала и основного материала, легированного примесью. Для повышения качества структуры при формировании легированного слоя полупроводниковой структуры поддерживают постоянной плотность потока основного материала путем подбора электрического тока, пропускаемого через источник основного нелегированного материала, и электрического тока, пропускаемого через источник основного материала, легированного примесью. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии содержит расположенные в камере роста, по меньшей мере, два резистивных источника напыляемого материала, подключенных к соответствующим блокам питания, которые выполнены управляемыми и соединены с программным устройством, при этом один источник выполнен из основного нелегированного материала, а другой - из основного материала, легированного примесью. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента