ДМИТРИЕВ А.В. и др. Направленная регуляция патогенных свойств стрептококков. - Медицинский академический журнал, 2009, 4, с.50-58. FENGXIA QI et al., Functional Analyses of the Promoters in the Lantibiotic Mutacin II Biosynthetic Locus in Streptococcus mutans, Applied and environmental microbiology, 1999 Feb., Vol.65, No.2, p.p.652-658.ALEXANDER V.DMITRIEV et al., Inter- and intraserotypic variation in the Streptococcus pyogenes Rgg regulon, FEMS Microbiol Lett, 2008 July, Vol.284, No:1, p.p.1-15.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-исследовательский институт экспериментальной медицины" Северо-западного отделения Российской академии медицинских наук (ФГБУ "НИИЭМ" СЗО РАМН) (RU)
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-исследовательский институт экспериментальной медицины" Северо-западного отделения Российской академии медицинских наук (ФГБУ "НИИЭМ" СЗО РАМН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области молекулярной генетики и касается рекомбинантной плазмиды pVA891-2[mutR], способа получения мутантных по гену mutR штаммов Streptococcus pyogenes и рекомбинантных штаммов Streptococcus pyogenes. Плазмиду pVA891-2[mutR] конструируют на основе вектора pVA891-2, неспособного реплицироваться в клетках грамположительных микроорганизмов и содержащего маркерный ген устойчивости к эритромицину, путем введения PstI-SacI фрагмента гена mutR штамма Streptococcus pyogenes SF370, размером 520 п.н., представленного на фиг.1. Для получения мутантных авирулентных штаммов Streptococcus pyogenes (SF370[mutR], 97[mutR], 152[mutR) полученную плазмиду вводят в соответствующие штаммы S. pyogenes, вследствие чего происходит нарушение структурной области гена mutR в геноме таких штаммов. Отбор клонов с инактивированным геном mutR привел к получению штаммов, у которых проявление вирулентных свойств отсутствует или значительно снижено. Представленная группа изобретений может быть использована в профилактической медицине при создании вакцин. 5 н.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента