RU 2219622 C1, 20.12.2003. RU 2008146391 A, 01.11.2007. US 2010148199 A1, 17.06.2010. US 20100050430 A, 13.05.2010. US 2004119083 A1, 24.06.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ГОУ ВПО ТУСУР) (RU), Гончарова Юлия Сергеевна (RU), Саврук Елена Владимировна (RU), Смирнов Серафим Всеволодович (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ГОУ ВПО ТУСУР) (RU) Гончарова Юлия Сергеевна (RU) Саврук Елена Владимировна (RU) Смирнов Серафим Всеволодович (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых излучающих диодов, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых источников белого света широкого потребления, в том числе осветительных приборов уличного и бытового освещения, а также может использоваться в технологии производства светодиодных панелей и табло. При изготовлении полупроводникового источника света известным способом путем сборки кристалла в корпус и последующего нанесения на его поверхность слоя люминофора вводятся новые операции и новая последовательность их выполнения: нанесение на поверхность кристалла антиотражающего покрытия, затем нанесение поверх антиотражающего покрытия разделительного слоя из полимерного материала с небольшим показателем преломления, например акрилата, а затем - нанесение на этот слой люминофора. Изобретение позволяет увеличить выход излучения синего цвета из полупроводникового кристалла, уменьшить величину входящего света в кристалл, а следовательно, и уменьшить величину поглощенного в нем излучения зеленого и красного цвета, преобразованного люминофором, и тем самым существенно повысить общую квантовую эффективность источника света. 1 табл., 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента