US 4082570 A, 04.04.1978. RU 2210142 C1, 10.08.2003. US 4332973 A, 01.01.1982. US 5244509 A, 14.09.1983. US 5266125 A, 30.11.1993.
Имя заявителя:
ГРИНФИЛД СОЛАР КОРП. (US)
Изобретатели:
САТЕР Бернард Л. (US)
Патентообладатели:
ГРИНФИЛД СОЛАР КОРП. (US)
Приоритетные данные:
14.08.2008 US 61/088,921 14.08.2008 US 61/088,936 15.08.2008 US 61/089,389 28.08.2008 US 61/092,531 05.08.2009 US 12/535,952 06.08.2009 US 12/536,987 06.08.2009 US 12/536,992 06.08.2009 US 12/536,982
Реферат
Изобретение может быть использовано в любом классе фотоэлектрических элементов, таких как солнечные элементы, термофотоэлектрические элементы или элементы, возбуждаемые лазерными источниками или фотонами. Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит монолитный блок из множества выполненных на основе полупроводников фотоэлектрических (ФЭ) элементов, где каждый элемент из упомянутого множества выполненных на основе полупроводников ФЭ элементов включает в себя по меньшей мере одну диффузную легированную область Р-типа или диффузную легированную область N-типа; структурированное диэлектрическое покрытие, нанесенное на по меньшей мере одну диффузную легированную область Р-типа или диффузную легированную область N-типа, причем структуры на упомянутом структурированном диэлектрическом покрытии уменьшают площадь поверхности контакта между металлическим слоем и легированными областями, чтобы уменьшить рекомбинационные потери фотогенерированных носителей во множестве выполненных на основе полупроводников ФЭ; и металлический слой, расположенный на поверхности раздела между элементами во множестве выполненных на основе полупроводников ФЭ элементов. Также предложен способ производства фотоэлектрических элементов с уменьшенными рекомбинационными потерями фотогенерированных носителей. Изобретение обеспечивает возможность эффективного преобразования. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 35 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента