Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СТАБИЛИЗАТОР ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Номер публикации патента: 2472204

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011138403/08 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G05F001/10    
Аналоги изобретения: SU 1343403 A1, 07.10.1987. RU 2286592 C1, 27.10.2006. RU 2360274 С1, 27.06.2009. US 2008074096 A1, 27.03.2008. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие" (RU) 
Изобретатели: Буковшин Николай Григорьевич (RU)
Лукьянчиков Александр Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в источниках вторичного электропитания радиоаппаратуры. Технический результат - повышение надежности стабилизатора постоянного напряжения путем упрощения схемы пусковой цепи. Для этого предложен стабилизатор постоянного напряжения, содержащий регулирующий транзистор, эмиттер которого соединен с входным выводом, а коллектор - с выходным выводом, транзистор усилителя постоянного тока (УПТ) с противоположным типом проводимости, соединенный коллектором с базой регулирующего транзистора, базой - с выходом делителя выходного напряжения, эмиттером через стабилитрон - с выходным выводом и через резистор - с общим выводом, а также конденсатор и диод, при этом коллекторно-эмиттерный переход транзистора УПТ шунтирован конденсатором, а базо-эмиттерный переход регулирующего транзистора шунтирован диодом в обратном направлении. 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"