ХАСПЕРДЖЕР Р. Интегральная оптика: теория и технология. - М.: Мир, 1985, с.170. SU 194358 А, 30.03.1967. BY 5251 C1, 30.06.2003. US 6353690 B1, 05.03.2002.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет) (СГАУ) (RU)
Изобретатели:
Матюнин Сергей Александрович (RU) Паранин Вячеслав Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет) (СГАУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области квантовой электроники. Устройство управления амплитудным пропусканием светового пучка содержит источник электрического напряжения, одноосный электрооптический кристалл в виде пластины х-среза с нанесенными на верхнюю поверхность ортогональными z-оси оптической анизотропии электрооптического кристалла управляющими линейными электродами, выполненными в виде встречно-штыревой структуры и образующими дифракционную решетку. На поверхности электрооптического кристалла нанесены первое и второе поляризующие покрытия, причем первое поляризующее покрытие нанесено на нижнюю поверхность электрооптического кристалла так, что ось его пропускания составляет угол 0°<<90° с z-осью оптической анизотропии электрооптического кристалла, а второе поляризующее покрытие нанесено на верхнюю поверхность электрооптического кристалла так, что его ось пропускания параллельна y-оси или z-оси оптической анизотропии электрооптического кристалла. Технический результат: снижение управляющих напряжений. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента