Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО ТИПА С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ

Номер публикации патента: 2472125

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011136472/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04   B82B001/00    
Аналоги изобретения: RU 2398196 C1, 27.08.2010. RU 2397461 C1, 20.08.2010. RU 2397460 C1, 20.08.2010. RU 2399031 C1, 10.09.2010. US 2005034529 A1, 17.02.2005. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU) 
Изобретатели: Белозубов Евгений Михайлович (RU)
Белозубова Нина Евгеньевна (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU) 

Реферат


Датчик давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) предназначен для использования при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) содержит корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из круглой мембраны, выполненной за одно целое с периферийным основанием, сформированную на ней гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, в которой образованы тензорезисторы, выполненные в виде соединенных тонкопленочными перемычками одинакового количества одинаковых квадратных тензоэлементов. Тензоэлементы первой пары тензорезисторов, выполнены симметричными между собой относительно взаимно перпендикулярных осей мембраны, проходящих через центры тензорезисторов, и симметричными соответствующим тензоэлементам второй пары тензорезисторов, относительно взаимно перпендикулярных осей мембраны, проходящих через центры контактных площадок, размещенных симметрично относительно взаимно перпендикулярных осей мембраны, проходящих через центры тензорезисторов. Расстояния между тензоэлементами первой пары тензорезисторов равны между собой и равны расстояниям между тензоэлементами второй пары тензорезисторов. Центры всех тензоэлементов размещены по окружности, радиус которой r о определен по соответствующему соотношению. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерения датчиков давления тензорезистивного типа, а также повышение долговременной стабильности и уменьшение нелинейности градуировочной характеристики. 3 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"