Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОДУЛИ С СОДЕРЖАЩИМИ ПЛАСТИФИКАТОР ПЛЕНКАМИ НА ОСНОВЕ ПОЛИВИНИЛАЦЕТАЛЯ С ВЫСОКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ

Номер публикации патента: 2471267

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010117653/04 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/048   H01L031/0203   C08L029/14   C08K005/103   C08J005/18    
Аналоги изобретения: US 20050284516 A1, 29.12.2005. US 20050170160 A1, 04.08.2005. EP 1826826 A1, 29.08.2007. RU 2287207 C1, 10.11.2006. RU 2002123602 A, 27.03.2004. 

Имя заявителя: КУРАРАЙ ЮРОП ГМБХ (DE) 
Изобретатели: КАРПИНСКИ Андреас (DE)
КЕЛЛЕР Уве (DE)
ШТОЙЕР Мартин (DE)
ШТЕНЦЕЛЬ Хольгер (DE) 
Патентообладатели: КУРАРАЙ ЮРОП ГМБХ (DE) 
Приоритетные данные: 05.10.2007 DE 102007000816.5 

Реферат


Изобретение относится к фотоэлектрическому модулю, содержащему ламинат из a) прозрачного переднего покрытия, b) одного или нескольких фоточувствительных полупроводниковых слоев, c) по меньшей мере одной содержащей пластификатор пленки на основе поливинилацеталя с содержанием поливинилового спирта более 12 вес.% и d) заднего покрытия. Модуль характеризуется тем, что содержащие пластификатор пленки c) на основе поливинилацеталя имеют температуру стеклования Tg по меньшей мере 20°С. Также изобретение относится к применению пленок на основе поливинилацеталя с содержанием поливинилового спирта более 12 вес.%, обладающих температурой стеклования Tg по меньшей мере 20°С, для заполнения полостей, имеющихся в фоточувствительных полупроводниковых слоях или их электрических соединениях, при изготовлении фотоэлектрических модулей. Пленки с указанной температурой стеклования обладают повышенным удельным сопротивлением, что позволяет их использовать по указанным выше назначениям. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 пр., 1 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"