US 7164164 B2, 16.01.2007. US 2008/0224143 A1, 18.09.2008. US 7265740 B2, 04.09.2007. US 5861655 A, 19.01.1999. JP 6275808 A, 30.09.1994. JP 6275807 A, 30.09.1994. RU 2000133345 A, 20.03.2002.
Имя заявителя:
ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Изобретатели:
МАКИТА Наоки (JP) НАКАЦУДЗИ Хироси (JP)
Патентообладатели:
ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
Приоритетные данные:
23.10.2008 JP 2008-273525
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, который включает в себя полупроводниковый слой, который имеет область канала, область истока и область стока, электрод затвора, который выполнен с возможностью регулирования проводимости области канала, и изолирующую пленку затвора, расположенную между данным полупроводниковым слоем и электродом затвора, и тонкопленочный диод, который включает в себя полупроводниковый слой, который имеет, по меньшей мере, область n-типа и область p-типа, при этом соответствующие полупроводниковые слои тонкопленочного транзистора и тонкопленочного диода представляют собой кристаллические полупроводниковые слои, которые были сформированы путем кристаллизации одной аморфной полупроводниковой пленки, и при этом на поверхности полупроводникового слоя тонкопленочного диода образованы выступы, и полупроводниковый слой тонкопленочного диода имеет большую шероховатость поверхности, чем полупроводниковый слой тонкопленочного транзистора. Изобретение позволяет создать полупроводниковое устройство, которое включает в себя тонкопленочный транзистор и тонкопленочный диод на одной подложке, с улучшенными характеристиками. 6 н. и 27 з.п. ф-лы, 18 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента