Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В. Современная фотолитография. - Нижний Новгород, 2006, с.56. RU 2008100283 A, 20.07.2010. US 6902859 B2, 07.06.2005. EP 0165686 A2, 27.12.1985. JP 11024272 A, 29.01.1999.
Имя заявителя:
Китай Мойше Самуилович (RU), Рудой Игорь Георгиевич (RU), Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Изобретатели:
Китай Мойше Самуилович (RU) Рудой Игорь Георгиевич (RU) Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Патентообладатели:
Китай Мойше Самуилович (RU) Рудой Игорь Георгиевич (RU) Сорока Аркадий Матвеевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности полупроводниковой подложки. Техническим результатом изобретения является повышение производительности литографии сверхвысокого разрешения, прежде всего ЭУФ-литографии. Сущность изобретения: в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, образованного из мономерных звеньев на базе органических молекул, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры, в состав не менее 50% мономерных звеньев включают по меньшей мере один атом фтора, а термическая обработка экспонированного резиста включает его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой. 4 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента