федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Изобретатели:
Завьялов Иван Николаевич (RU) Попов Леонид Леонидович (RU) Рыжаков Михаил Викторович (RU)
Патентообладатели:
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (RU)
Реферат
Использование: для дистанционного обнаружения вещества в неоднородном магнитном поле с использованием ядерного магнитного резонанса. Сущность: заключается в том, что вводят исследуемый объект в неоднородное магнитное поле с импульсным возбуждающим воздействием искомого химического элемента в исследуемом объекте и получают отклик сигнала ЯМР от воздействия на объект в виде распределения зависимости интенсивности сигнала ЯМР от частоты, причем предварительно измеряют и запоминают распределение интенсивности неоднородного магнитного поля от координаты пространства по всем трем пространственным координатам и также предварительно запоминают характерное распределение интенсивностей отклика сигнала ЯМР от частоты от исследуемого объекта без скрытого вещества, затем на полученном отклике сигнала ЯМР от исследуемого объекта находят частоты пик, на которых интенсивность отклика сигнала ЯМР отличается от запомненной интенсивности для данного объекта, затем по формуле Зеемана по частоте пик находят Впик (где Впик - искомая интенсивность локального внешнего магнитного поля) и по предварительному распределению интенсивности неоднородного магнитного поля находят пространственное положение магнитных полей с интенсивностью, близкой к Впик, и таким образом устанавливают пространственное расположение скрытого в объекте вещества. Технический результат: обеспечение возможности получения пространственной картины распределения искомого химического вещества в объекте за как можно более короткий промежуток времени. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента