ЕР 1624338 А2, 08.02.2006. SU 1353142 A1, 07.03.1993. SU 1834530 A1, 20.05.1995. RU 2305346 C2, 27.08.2007. US 2008/0301621 A1, 04.12.2008. US 2005/0121628 A1, 09.06.2005. US 2005/0142463 A1, 30.06.2005.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Изобретатели:
Бокарев Валерий Павлович (RU) Горнев Евгений Сергеевич (RU) Галанов Геннадий Николаевич (RU) Голубский Александр Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах. Технический результат - к N раз уменьшение неровности края переносимого на фотошаблон для контактной фотолитографии изображения, по сравнению с неровностью края изображения на изготовленном рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии, и сократить финансовые затраты на изготовление фотошаблона для контактной фотолитографии из-за формирования первичного изображения на рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии в укрупненном в N раз масштабе и возможности многократного воспроизведения топологии рабочего фотошаблона на круглых пластинах, используемых в качестве фотошаблонных заготовок для контактной фотолитографии. Достигается тем, что в способе изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом шаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и на этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии. 2 з.п. ф-лы, 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента