Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ОРГАНИЧЕСКИЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2468476

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011119577/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L051/50   B82B001/00    
Аналоги изобретения: Raffaella Capelli et al, Organic light-emitting transistor with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes, Nature Materials 9(2010), 496. RU 2370517 C2, 27.04.2009. US 7642564 B2, 05.01.2010. WO 2004/053938 A2, 24.06.2004. WO 03/038914 A2, 08.05.2003. US 6992322 B2, 31.01.2006. 

Имя заявителя: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU) 
Изобретатели: Амброзевич Сергей Александрович (RU)
Беликова Татьяна Павловна (RU)
Витухновский Алексей Григорьевич (RU)
Овчинников Анатолий Владимирович (RU) 
Патентообладатели: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области оптики, в частности к электролюминесцирующим наноструктурам, и может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации. Сущность изобретения: в светоизлучающем органическом полевом транзисторе с активным слоем, содержащем два электрода «исток» - «сток» и диэлектрический запорный слой между активным слоем и управляющим электродом (затвором), активный слой выполнен в виде органической матрицы с внедренными в нее двухкомпонентными (ядро-оболочка) полупроводниковыми наночастицами. Наночастицы могут быть выполнены с возможностью изменения диаметра полупроводникового ядра в пределах 2.0-6.0 нм и толщины полупроводниковой оболочки в пределах 1.0-3.0 нм для регулирования области излучения в пределах 400-650 нм видимого спектра. Изобретение обеспечивает создание стабильных светоизлучающих органических полевых транзисторов с высоким квантовым выходом люминесценции и регулируемым спектром излучения в видимом диапазоне длин волн. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"