US 5091288 A, 25.02.1992. RU 2371808 C1, 27.10.2009. RU 2419178 C1, 20.05.2011. US 2011/0079894 A1, 07.04.2011. US 5393696 A, 28.02.1995. WO 2009/123808 A2, 08.10.2009. CN 101847592 A, 29.09.2010.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Изобретатели:
Шелоболин Игорь Александрович (RU) Лисейкин Виктор Петрович (RU) Акимов Владимир Михайлович (RU) Васильева Лариса Александровна (RU) Микертумянц Артем Рубенович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из индий-сурьма (InSb). Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на поверхность пластины с металлическими контактами наносят первый и второй толстые слои позитивного фоторезиста толщиной 5-7 мкм, наносят первый тонкий слой позитивного фоторезиста толщиной 1-2 мкм, проводят фотолитографию для формирования меток совмещения, наносят металлический слой, наносят второй тонкий слой фоторезиста, проводят фотолитографию под In столбики по металлическому слою, осуществляют травление металлического слоя в кислотном травителе и проводят плазмохимическое травление тонкого слоя фоторезиста и толстых слоев фоторезиста до поверхности металлических контактов, напыляют пленку индия для формирования на металлических контактах индиевых столбиков и удаляют ранее нанесенные слои. Способ позволяет упростить технологию и повысить однородность размеров индиевых столбиков. 10 ил.