Общество с ограниченной ответственностью "Комплектующие и Материалы" (ООО "КИМ") (RU)
Изобретатели:
Погорельский Михаил Юрьевич (RU) Шкурко Алексей Петрович (RU) Алексеев Алексей Николаевич (RU) Чалый Виктор Петрович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Комплектующие и Материалы" (ООО "КИМ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения объемных монокристаллов и может быть использовано, преимущественно, в оптоэлектронике при изготовлении подложек для различных оптоэлектронных устройств, в том числе светодиодов, излучающих свет в ультрафиолетовом диапазоне. В способе выращивания монокристалла AlN путем газофазной эпитаксии из смеси, содержащей источник Al и NH3, включающем размещение в ростовой камере друг напротив друга источника Al и обращенной к нему ростовой поверхностью подложки, образующих ростовую зону, создание в ростовой зоне потока NH3 , нагрев источника Al и подложки до температур, обеспечивающих рост монокристалла AlN на подложке, в качестве источника Al используют только свободный Al, подложку предварительно обрабатывают Ga и/или In, после чего охлаждают источник Al до температуры 800-900°С и осуществляют отжиг подложки путем нагрева ее до температуры 1300С-1400°С с последующим ее охлаждением до температуры нитридизации ее ростовой поверхности; после охлаждения подложки до температуры нитридизации ее ростовой поверхности в ростовую зону в течение 8-15 минут подают NH3, а затем повышают температуру источника Al и вместе с NH3 подают в ростовую зону пары Al; монокристалл AlN на начальном этапе роста до достижения толщины 1-10 мкм выращивают со скоростью не более 10 мкм/час, а затем увеличивают скорость роста до 100-200 мкм/час. Устройство для осуществления данного способа включает вакуумную камеру, содержащую корпус 1, нагреватель 2 ростовой зоны, держатель 3 подложки 4, тигель 5 для размещения источника Al 6 и нагреватель 7 источника Al 6, тигель 5 для размещения источника Al 6 выполнен в виде емкости тороидальной формы, открытой со стороны ростовой зоны, установленной внутри снабженной крышкой 17 экранирующей камеры 10, размещенной в нижней части корпуса 1 и сообщающейся с источником подачи NH3, при этом в крышке 17 экранирующей камеры 10 выполнены отверстия 13 напротив центрального отверстия тигля 5 и источника Al 6. Изобретение обеспечивает снижение дефектности выращиваемого монокристалла AlN. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента