Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2466481

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011118327/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L033/60    
Аналоги изобретения: RU 2200358 C1, 10.03.2003. RU 78605 U1, 27.11.2008. RU 82935 U1, 10.05.2009. RU 91474 U1, 10.02.2010. EP 1246265 A2, 02.10.2002. WO 2004107443 A1, 09.12.2004. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) 
Изобретатели: Хан Александр Владимирович (RU)
Хан Владимир Александрович (RU)
Семенов Анатолий Васильевич (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) 

Реферат


Изобретение может найти применение в различных устройствах и системах, в которых требуются мощные источники оптического излучения. В полупроводниковом источнике излучения согласно изобретению, содержащем цилиндрический корпус, соосно расположенный внутри корпуса рефлектор, расположенную внутри рефлектора диэлектрическую пластину, на которой размещена матрица излучающих диодов, оптически прозрачную крышку, герметично соединенную с корпусом, и охлаждающую жидкость, заполняющую свободное пространство корпуса и обтекающую внутреннюю поверхность корпуса, поверхность рефлектора и внешнюю поверхность матрицы излучающих диодов, в днище корпуса, диэлектрической пластине и полупроводниковой излучающей матрице выполнены каналы жидкостной распределительной системы, состоящей из образованных в днище корпуса кольцевого канала, хордовых каналов, соединенных с кольцевым каналом, и сквозных отверстий в хордовых каналах, днище корпуса, диэлектрической пластине и полупроводниковой излучающей матрице, проходящих в плоскостях, расположенных между столбцами и с внешних сторон столбцов излучающих диодов матрицы. Изобретение обеспечивает увеличение оптической мощности полупроводникового источника излучения и устранение нестандартных источников его питания. 2 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"