RU 2077483 C1, 20.04.1997. RU 2412902 C2, 27.02.2011. RU 2050320 C1, 20.12.1995. RU 2414421 C2, 20.03.2011. US 4499063 A, 12.02.1985. US 4041136 A, 09.08.1977. EP 0063987 B1, 29.08.1984.
Имя заявителя:
Ольшанский Владимир Александрович (RU)
Изобретатели:
Ольшанский Владимир Александрович (RU)
Патентообладатели:
Ольшанский Владимир Александрович (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии получения моносилана, используемого в производстве поли- и монокристаллического кремния градации SG и EG, а также полупроводниковых структур методом газовой эпитаксии. В способе получения моносилана, предполагающем взаимодействие тетрафторида кремния с гидридом кальция при повышенной температуре, очистку моносилана сорбцией и ректификацией, взаимодействие тетрафторида кремния с гидридом кальция осуществляют разложением смеси гексафторосиликата кальция с гидридом кальция при температуре 380-400°С и соотношении масс 2,5:1. При этом очистку моносилана проводят хемосорбцией на синтетическом флюорите, полученном после разложения гексафторосиликата кальция, а гексафторосиликат кальция со стадии хемосорбции разлагают до синтетического флюорита и тетрафторида кремния, возвращаемого на стадию получения моносилана. Техническим результатом изобретения является получение моносилана по гидридно-фторидной технологии с использованием гексафторосиликата кальция в качестве тетрафторида кремния. 3 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента