ЕР 0347772 A1, 27.12.1989. RU 2145365 C1, 10.02.2000. ЕР 0275063 А2, 20.07.1988. VLASOV I.I. et al. Relative Abundance of Single and Vacancy-Bonded Substitutional Nitrogen in CVD Diamond, Phys. State Sol., 2000, v.181, 83, p.83-90. UEDONO A. et al. Annealing behaviours of defects in electron-irradiated diamond probed by positronannihilation, J. Phys : Condens. Matter, 1999, v.11, p.4925-4934. RU 2244679 C2, 10.02.2000. GRUBER A. et al. Scanning Confocal Optical Microscopy and Magnetic Resonance on Single Defect Centers, Science, 1997, v.276, p.2012-2014. ALEXIOS BREVATOS et al. Nonclassical radiation from diamond nanocrystals, Phys. Rev. A, 2001, v.64, p.p.061802-1 - 061802-4. CHI-CHEN FU et al. Characterization and application of single fluorescent nanodiamonds as cellular biomarkers, PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCI. OF THE USA, January 16, 2007, v.104, 3, p.727-732. US 4880613 A, 14.11.1989.
Имя заявителя:
ИНСЕРМ (ЭНСТИТЮ НАСЬОНАЛЬ ДЕ ЛЯ САНТЭ Э ДЕ ЛЯ РЕШЕРШ МЕДИКАЛЬ) (FR)
Изобретатели:
БУДУ Жан-Поль (FR) КЮРМИ Патрик (FR)
Патентообладатели:
ИНСЕРМ (ЭНСТИТЮ НАСЬОНАЛЬ ДЕ ЛЯ САНТЭ Э ДЕ ЛЯ РЕШЕРШ МЕДИКАЛЬ) (FR)
Приоритетные данные:
10.05.2007 EP 07290593.8
Реферат
Изобретение может быть использовано в светоизлучателях для систем квантовой криптографии и в биомаркерах. Алмазы, содержащие центры азот-вакансия, получают из алмазов размером свыше 0,1 мкм, выращенных при высоком давлении и высокой температуре и содержащих изолированные замещающие атомы азота, путем их облучения электронным пучком с дозой облучения от 1017 до 10 18 электрон/см2 и энергией свыше 7 МэВ. В процессе облучения температуру алмазов поддерживают не выше 80°C посредством циркуляции потока жидкости, содержащей главным образом воду. Облученные алмазы отжигают в вакууме или в инертной атмосфере при температуре более 700°C в течение по меньшей мере 1 часа. После отжига алмазы размалывают до наночастиц размером меньше 20 нм. Полученные алмазы содержат 4-16 центров азот-вакансия в частице 20 нм, или 10 центров азот-вакансия в частице 10 нм, или 8 центров азот-вакансия в частице 15 нм. Высокая плотность азот-вакансий обеспечивает высокие характеристики свечения. Процесс эффективен по времени и энергозатратам. 5 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента