US 2009154505 А1, 18.06.2009. RU 2142661 C1, 10.12.1999. US 6879615 B2, 12.04.2005. RU 2111520 C1, 20.05.1998. ЕР 968552 В1, 24.09.2008.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Шерстнев Виктор Вениаминович (RU) Монахов Андрей Маркович (RU) Гребенщикова Елена Александровна (RU) Баранов Алексей Николаевич (RU) Яковлев Юрий Павлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контакт (3). По одному второму омическому контакту (8) нанесено на торец соответствующего дискового резонатора (2) или кольцевого резонатора (10), причем расстояние от внешнего края второго контакта до внешнего края резонатора не превышает 100 мкм, при этом дисковые резонаторы (2) или кольцевые резонаторы (10) отстоят друг от друга на расстояние L или взаимно перекрывают в области волноводов на глубину D, которые удовлетворяют определенным соотношениям. Технический результат заключается в упрощении конструкции и обеспечении снижения оптических потерь при одномодовой генерации в средней ИК-области спектра. 2 н.п. ф-лы, 14 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента