Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КОБАЛЬТА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК

Номер публикации патента: 2465670

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011132688/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01F010/16   H01F041/30   B82B003/00    
Аналоги изобретения: US 5112699 А, 12.05.1992. US 2006291105 A1, 28.12.2006. RU 2212375 C1, 20.09.2003. RU 2069913 C1, 27.11.1996. RU 22069401 C1, 20.11.1996. 

Имя заявителя: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU) 
Изобретатели: Иванов Юрий Павлович (RU)
Чеботкевич Людмила Алексеевна (RU)
Зотов Андрей Вадимович (RU)
Давыденко Александр Вячеславович (RU)
Ильин Алексей Игоревич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно чистой поверхности Si(111)7×7 в условиях сверхвысокого вакуума при комнатной температуре, последующее формирование в режиме послойного роста при тех же условиях ультратонких эпитаксиальных пленок Со(111)/Cu(111)/Si(111)7×7 толщиной от 1 до 6 монослоев (МС) в том случае, когда толщина буферного подслоя меди составляет 3,5 МС. При толщине медного буферного слоя от 4,5 и до 11,5 МС формируют массивы эпитаксиальных наноостровков кобальта моноатомной и биатомной высоты до величины покрытия кобальта 3 монослоя. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки кремния эпитаксиальных наноструктур кобальта с заданными магнитными свойствами, что является техническим результатом изобретения. 4 ил., 1 табл., 3 пр.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"