Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА РАДИОЧАСТОТНОГО ИДЕНТИФИКАТОРА

Номер публикации патента: 2465645

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011143958/08 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G06K019/00   G11C016/06    
Аналоги изобретения: JP 10069792 А, 10.03.1998. US 2009/0303771 A1, 10.12.2009. US 2009/0134979 A1, 28.05.2009. RU 2378746 C1, 10.01.2010. RU 2123236 C1, 10.12.1998. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Ангстрем" (RU) 
Изобретатели: Гуминов Владимир Николаевич (RU)
Абрамов Сергей Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Ангстрем" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. Техническим результатом является обеспечение уменьшения размеров кристалла интегральной микросхемы радиочастотного идентификатора, а также возможности записи индивидуального кода в блок элементов памяти постоянного запоминающего устройства. Устройство содержит вывод контактной площадки (1), связанный с управляющими затворами МОП-транзисторов с плавающим затвором запоминающих элементов (13), с истоками диодно-включенных n-канальных транзисторов (9 и 10), р-канального МОП транзистора (4), сток которого связан со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (5), исток которого связан со стоком транзистора (13), со входом модулятора (20) и со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (6), исток которого и затвор транзистора (4) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Выводы контактных площадок (2 и 3) подключены к резонансному антенному контуру. Вывод (2) связан со стоками транзисторов (7), (9), (11) и затвором транзистора (8), вывод (3) связан со стоками транзисторов (8), (10), (12) и затвором транзистора (7). Стоки транзисторов (11 и 12) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Истоки транзисторов (13) связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (14), истоки которых связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (15), истоки которых и стоки транзисторов (7) и (8) подключены к шине земли () (18). Затворы транзисторов (14) и (15) подключены к выходам дешифраторов строк (16) и столбцов (17) соответственно. 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"