US 2004/0062117 А1, 01.04.2004. RU 2292126 C2, 20.01.2007. SU 368627 A1, 26.01.1973. US 6262625 B1, 17.07.2001.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ДЗУНГ Сеонг-Оок (US) КИМ Дзи-Су (US) СОНГ Дзи-Хван (US) КАНГ Сеунг Х. (US) ЙООН Сей Сеунг (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
22.04.2008 US 12/107,252
Реферат
Изобретение относится к области регулирования параметров схемы памяти на основе сопротивления. Техническим результатом является повышение эффективности улучшения границ усилителя считывания. Способ определения набора параметров схемы памяти на основе сопротивления включает в себя выбор первого параметра на основе первого предварительно заданного ограничения по конструкции схемы памяти на основе сопротивления и выбор второго параметра на основе второго предварительно заданного ограничения по конструкции схемы памяти на основе сопротивления. Данный способ дополнительно включает в себя выполнение итеративной методики для регулирования, по меньшей мере, одного параметра схемы участка усилителя считывания схемы памяти на основе сопротивления посредством выборочного назначения и регулирования физической характеристики упомянутого, по меньшей мере, одного параметра схемы для достижения желаемого граничного значения усилителя считывания без изменения первого параметра или второго параметра. 6 н. и 35 з.п. ф-лы, 24 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента